退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
冯泉林; 史训达; 刘斌; 刘佐星; 王敬; 周旗钢;
北京有色金属研究总院;
有研半导体材料股份有限公司;
北京100088;
洁净区; 氧沉淀; 单晶硅片; 内吸杂; RTA;
机译:基于氮气氛下快速热处理的切克劳斯基硅片中氧沉淀物剥蚀区的形成
机译:退火气氛对常规和氮掺杂直拉硅片中通过快速热处理形成的铜沉淀物的复合活性的影响
机译:退火气氛对切克劳斯基硅片中氧析出和剥蚀区形成的影响
机译:快速热退火对Czochralski硅热运动形成和氧沉淀的影响
机译:通过快速纳米沉淀形成的聚合物稳定的纳米悬浮液:纳米颗粒的形成,配制和稳定性
机译:通过硅烷化合物改性和快速热退火处理化学镀镍磷膜在硅片上的附着力
机译:450℃热退火对B掺杂CZ si晶片中氧沉淀的影响
机译:金属氧氮化物薄膜的制造方法,其包括在含氮气氛中对金属氧化物膜进行第一次退火以形成金属氧氮化物膜,并在氧化气氛中对金属氧氮化物膜进行第二次退火。
机译:制备能够形成增强的渗析区的理想的氧沉淀硅片的方法
机译:制造包括在含氮气氛中首先对金属氧化物膜进行退火以形成金属氧氮化物膜并在金属氧化物膜中进行第二次退火的金属氧氮化物膜的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。