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奚光平; 马向阳; 田达晰; 曾俞衡; 宫龙飞; 杨德仁;
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;
宁波立立电子股份有限公司,宁波,315800;
重掺砷直拉硅片; 氧沉淀形核; 低温退火;
机译:氮共掺杂对重掺杂磷的直拉硅高温退火过程中氧沉淀的增强作用
机译:惰性或氧化环境下斜线退火对掺氮切克劳斯基硅片中氧沉淀剥蚀区形成的影响
机译:退火气氛对常规和氮掺杂直拉硅片中通过快速热处理形成的铜沉淀物的复合活性的影响
机译:背面条件对重砷掺杂的直拉硅晶片中氧行为的影响
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:PECVD对低温生长的掺硼氢化晶体硅的退火
机译:氧在直拉生长硅中低温硼和铁的磷扩散吸收中的作用
机译:退火对重掺硅砷化镓缺陷结构影响的电子显微镜研究。
机译:用直拉法从长成的块体切成的重掺杂硅片中的氧沉淀
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