基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

摘要

利用法国OMMIC公司的0·2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98·83dBc/Hz.芯片面积为0·5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.