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陈志巍; 何勇畅; 毛小庆; 高海军;
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 浙江杭州310018;
GaAs HBT; 压控振荡器; 变容管阵列; 相位噪声;
机译:采用0.15; C; m GaAs伪晶高电子迁移率晶体管技术的低相位噪声V波段推挽压控振荡器
机译:新型低相位噪声毫米波正交压控振荡器的设计
机译:利用微带三分带通滤波器设计低相位噪声振荡器和压控振荡器
机译:用于微波应用的低相位噪声GaAs FET / BJT压控振荡器
机译:低相位噪声压控振荡器设计。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:具有高调谐线性度和低相位噪声的MMIC GaN HEMT压控振荡器
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。
机译:基于光子的低相噪互相关均相检测
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