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SEU加固存储单元中的多节点翻转(英文)

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使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset ,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU(multiple bit upset) ,发现它们之间的特点存在较大差异.最后讨论了避免MNU的方法.

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来源
《半导体学报》 |2008年第2期|244-250|共7页
作者
刘必慰; 郝跃; 陈书明;
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作者单位

国防科技大学计算机学院;

西安电子科技大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件 ;
关键词
多节点翻转; 加固单元; 电荷收集;

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