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姚振钰; 张国炳; 秦复光; 刘志凯; 张建辉; 林兰英;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
北京大学微电子研究所;
二硅化钴; 离子束外延; 外延生长;
机译:通过结晶Co膜和Si衬底之间的直接固相反应在Si(1 0 0)衬底上生长外延CoSi_2膜
机译:固相外延形成超薄CoSi_2 / n-Si(100)的肖特基势垒高度分布的BEEM研究
机译:GaInS_2:GaAs(100)衬底上超薄外延膜的生长模式和界面电子模型研究
机译:没有覆盖层的Co-C膜在(100)Si上CoSi_2层的外延生长和热稳定性
机译:银(001)和银(111)上超薄外延铬和氧化铁膜的生长和结构:通过X射线光电子衍射和低能电子衍射完成的综合研究。
机译:用RF-MOMBE研究GaN模板上生长的InN外延膜和纳米棒
机译:蒸汽悬浮外延生长的超薄InGaas / Inp量子阱中原子台阶的光学研究
机译:通过聚合物复合物的外延生长生产超薄聚合物膜
机译:外延膜生长晶片,外延膜生长方法,去除方法和外延晶片制造方法
机译:掺杂外延膜的器件的选择性生长及掺杂外延膜的生长方法
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