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牛智川; 周增圻; 吴荣汉;
中国科学院半导体研究所;
国家光电子工艺中心;
砷化镓; 外延生长; MBE;
机译:固态As_4源金辅助MBE生长的GaAs纳米线的形貌和晶体结构控制
机译:LT-GaAs层对MBE在Si衬底上生长的外延GaAs膜的晶体性能的影响
机译:生长温度和衬底取向错误对GS-MBE在GaAs(001)衬底上生长的Ga_0.52In_0.48P外延层中反相畴尺寸有序度的影响
机译:宽带隙III-V外延材料的等离子体辅助MBE生长动力学和表征研究。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:氧对金属有机气相外延生长Gaas(001)表面形貌的影响
机译:mBE(分子束外延)生长温度对Gaas / alas共振隧穿结构的影响。
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
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