首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

         

摘要

本文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化.原子力显微镜AFM测试的结果表明:(100)表面在氢原子辅助生长条件下外延面的岛状起伏变得更为平坦,二维生长模式得到增强;(331)面在两种条件下均显示出台阶积累(stepbunching)式生长,而氢原子辅助生长则减小了台阶结构的横向周期;(210)面在氢原子辅助生长下也使原表面存在的岛状结构尺寸减小;在(311)表面氢原子诱导的作用明显地增强了台阶积累生长模式.本文认为氢原子诱导作用机制在于:外延面台阶处As原子和H原子结合减小了表面结合能,导致Ga原子表面迁移长度的减小,增强了台阶积累生长效应;而对于平坦的(100)表面氢原子的诱导作用使得Ga迁移长度增加,导致二维生长模式的进一步增强.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号