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Electron microscopy of semiconducting materials and ULSI devices
Electron microscopy of semiconducting materials and ULSI devices
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Ordering in Compound Semiconductors; The Role of transmission Electron Microscopy
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7.
Dislocations in InAs Epilayers Grown by MBE on GaAs Substrates Under Various Conditions
机译:
在各种条件下,MBE在GaAs衬底上生长的InAs外延层中的位错
作者:
Hongmei Wang
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Hongwei Zhou
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Zhanping Zhu
;
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会议名称:
《Electron microscopy of semiconducting materials and ULSI devices》
|
1998年
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