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纳米级精细线条图形的微细加工

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摘要

对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的 30 nm精细线条图形 .

著录项

来源
《半导体学报》 |2004年第12期|1722-1725|共4页
作者
任黎明; 王文平; 陈宝钦; 周毅; 黄如; 张兴;
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作者单位

北京大学信息科学技术学院微电子学系;

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
微细加工; 电子束光刻; 邻近效应校正; ICP刻蚀;

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