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隋晓红; 刘金彬; 顾明; 裴为华; 陈弘达;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;
前置放大器; 电极极化电压; 等效输入噪声;
机译:配备CMOS前置放大器的单片式多元素HPGe检测器:演示器的构造和特性
机译:使用670 nm cw VCSEL和单片Si光电检测器和CMOS前置放大器的光纤数据链路的性能
机译:具有单片集成RRAM和90-NM CMOS的二进制深神经网络的高吞吐量计算
机译:具有用于研究神经元网络的单片集成电路的CMOS兼容神经晶体管阵列
机译:单片集成 CMOS FDSOI 电子 - 性和空穴 量子点 量子比特 和 读出电子器件 的 大规模 量子 计算处理器
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:CA2NB3O10纳米片的形状控制:铺平与CMOS的单片集成的单片集成方式
机译:使用Gaas / Gaalas异质结的探测器和pin-FET前置放大器的研究和单片集成
机译:一种单片集成电路,特别是MOS或CMOS类型的单片集成电路及其制造方法
机译:单片集成电路,特别是mos或cmos类型的单片集成电路及其生产方法。
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