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周增圻; 潘钟; 林耀望; 吴荣汉; 王圩;
国家光电子工艺中心;
中国科学院半导体研究所;
MBE生长; 面发射激光器; 监测; 激光器;
机译:第四季GaInAsSb / AlGaAsSb垂直-外腔面发射激光器-MBE生长的挑战
机译:MBE生长的具有全外延滤光片部分的超大孔径单模垂直腔面发射激光器
机译:1.3- / splμm/ m InAs-InGaAs量子点垂直腔面发射激光器,由MBE所生长的全掺杂DBR
机译:VCSEL MBE生长期间的原位厚度监测和调整
机译:MBE生长的碲化镉锌(211)硼/硅(211)和碲化镉镉(211)硼/硅(211)结构的原位椭偏监测。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:(MBE在775B表面衬底上生长的GaAs和InGaAs自组装量子线在表面发射激光器中的应用)
机译:用于高性能光信息网络的长波长(1.1-1.5微米)垂直腔面发射激光器和光开关的新型外延生长技术
机译:面发射半导体激光器,面发射半导体激光器制造方法,面发射半导体激光器设备,光传输设备和信息处理设备
机译:面发射半导体激光器,面发射半导体激光器的制造方法,面发射半导体激光器装置,光传输装置以及信息处理装置
机译:制造面发射激光器,面发射激光器和面发射激光器阵列的方法,以及光学扫描装置和图像形成装置
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