掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究

摘要

用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜，在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量，对复合膜的结构进行了探讨．