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张立辉; 李志刚; 康晓辉; 谢常青; 刘明;
中国科学院微电子研究所;
单电子晶体管; 正统理论; 库仑阻塞; 量子隧穿;
机译:硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管和单电子晶体管中的量子约束效应的实验研究
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管结漏电流中随机电报噪声中界面态参与的实验证据
机译:优化的金属单电子晶体管的隧道结工程
机译:p型菌株的实验开发和掺入GaAsSb / InAlAs单金属异质结场效应晶体管
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:基于溶液处理的半导体金属氧化物异质结和拟超晶格的高电子迁移率薄膜晶体管
机译:隧道结工程,以提高金属单电子晶体管的性能
机译:用隧道结调制室温可操作单电子晶体管的库仑阻塞行为
机译:MOS晶体管模型的建立方法和MOS晶体管模型的验证方法
机译:异质结双极晶体管等效电路模型的建立方式及建立
机译:包括高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管的单分子微波集成电路以及通过单生长过程制造电路的方法
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