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MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光

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摘要

用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．

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来源
《半导体学报：英文版》|1996年第4期|252-256|共5页
作者
董建荣; 陆大成; 汪度; 王晓晖; 刘祥林; 王占国;
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作者单位

中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
MOVPE法; AlGaAs; GaAs; 量子阱结构; 光致发光;

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