高速SOIMOS器件及环振电路的研制

摘要

采用 SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为 0 .8μm的 SOI器件和环振电路 ,在 5V和 3V电源电压时 51级环振的单门延迟时间分别为 82 ps和 2 81 ps,速度明显高于相应的体硅电路 .由于采用硅岛边缘注入技术 ,寄生边缘管得到较好的抑制 .对沟道宽度对 SOI器件特性的影响进行了讨论 .实验表明 SOI器件是高速和低压低功耗电路的理想选择 .