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刘晓晗; 黄大鸣; 王东红; 蒋最敏; 张翔九; 王迅;
复旦大学物理系;
应用表面物理国家重点实验室;
异质结构; 超晶格; 稳定性; 半导体材料;
机译:H介导的(Si_(14)/ Ge_1)_(20)超晶格缓冲液用于生长具有低残留应变的Si_(0.75)Ge_(0.25)合金层
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了空穴迁移率和热稳定性
机译:Si_(12)/ Ge_4和Si_(18)/ Ge_6应变层超晶格的微观结构观察
机译:用于红外检测的III-V族化合物半导体应变层超晶格的原子结构和缺陷
机译:GaAs / AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究:相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响
机译:Si(0.5)Ge(0.5)/ Si应变层超晶格的椭偏研究
机译:由结晶si和多孔非晶si1-x-Gex合金的交替层组成的新型硅基超晶格
机译:包括应变层超晶格结构层的半导体衬底
机译:具有平面结构的应变层超晶格焦平面阵列
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