应变Si_(1-x)Ge_x/SiΔ~i能谷附近色散关系的KP理论推导(英文)

摘要

基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的Δi能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGex中的Δi能级大小不同于弛豫Si1-xGex的Δ1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m1*,mt*)相同.Δi和Δ1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.