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张大伟; 田立林; 余志平;
清华大学微电子学研究所;
FinFET器件; 二维解析静电学分析; 集约模型; 阈电压;
机译:不同器件结构,Ge浓度和工作电压对Si1-xGex FinFET的自热效应的研究
机译:噪声电压为使用FinFET器件的低功耗10T SRAM单元带来了新的可靠性问题
机译:FinFET器件在不同温度下与各种外加栅极电压相关的阈值电压变化
机译:实时多脉冲整流器模型,用于中电压DC微电网应用中的电源硬件换流器件
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:研究si1-xGex FinFET的自热效应,具有不同的器件结构,Ge浓度和工作电压
机译:实现模式(英文版)Inteira mista para o problema de Localizacao de armazens(实施仓库位置问题的混合整数规划模型)
机译:用于形成FinFET器件的方法,装置和系统,该FinFET器件包括能够在第一电压下工作的第一部分和能够在第二电压下工作的第二部分
机译:混合高电压低电压FINFET器件
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