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郜定山; 李建光; 王红杰; 安俊明; 李健; 夏君磊; 胡雄伟;
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心;
火焰水解; SiO2; GeO2; 折射率; 光波导;
机译:在掺Ge的火焰水解沉积二氧化硅上直接写入光学器件的电子束
机译:使用扫描隧道光谱法研究覆盖有超薄SiO_2薄膜的Si(111)衬底上单个Ge_(1-x)Sn_x量子点中的量子约束效应
机译:化学溶液沉积法在Pt / TiO_x / SiO_2 / Si衬底上制备三元(K_(0.5)Na_(0.5))Nb_(0.95)O_3-BaTiO_3-BaZrO_3薄膜的压电,介电和结构性质
机译:脉冲激光沉积法在SiO_2 / Si衬底上制备掺Er的ZnO薄膜及其光致发光
机译:通过化学束外延在Ge基片上外延生长GaAs。
机译:CVD法在Ge(100)/ Si(100)衬底上生长石墨烯
机译:通过SiO_2 {x} $钝化作用在Si(001)上形成超薄磁性氧化物EuO膜-由硬X射线光发射光谱法控制
机译:通过瞬态加热Ge涂层si衬底在si上的Ge(1-x)si(x)的异质外延
机译:掺Si的GaAs单晶晶片及其制备方法,以及由所述掺Si的GaAs单晶晶片生产的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:Ge 1-xy Sub> Sn x Sub> E y Sub>(E = P,As,Sb)半导体及其相关Si-Ge-Sn-的制备方法E和Si-Ge-E类似物
机译:制备ge1-x-ysnxey(e = p,as,sb)半导体及相关si-ge-sn-e和si-ge-e类似物的方法
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