低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

张权生; 吴荣汉; 林世鸣; 高洪海; 高文智; 吕卉; 韩勤; 段海龙; 杜云; 芦秀玲

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一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.

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来源
《半导体学报》 |1992年第2期|103-108|共7页
作者
张权生; 吴荣汉; 林世鸣; 高洪海; 高文智; 吕卉; 韩勤; 段海龙; 杜云; 芦秀玲;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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正文语种 chi
中图分类激光器;
关键词
双稳; 激光器; InGaAsP/InP;

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