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含Kerr缺陷余弦函数型光子晶体低阈值光双稳器件

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摘要

一种含Kerr缺陷余弦函数型光子晶体低阈值光双稳器件，利用由两个余弦函数折射率介质层A、B交替组成的两个半有限光子晶体(BA)

1. 含Kerr缺陷余弦函数型光子晶体低阈值光双稳器件 [P] . 中国专利： CN106444214A . 2017-02-22
2. 一种用于低阈值全光开关的双稳态准光子晶体结构 [P] . 中国专利： CN211698524U . 2020-10-16
3. PHOTONIC CRYSTAL DEFECT WAVEGUIDE AND PHOTONIC CRYSTAL DEFECT DEVICE [P] . 日本专利： JP2004287224A . 2004-10-14

机译：光子晶体缺陷波导和光子晶体缺陷器件
4. Bipolar junction transistor of poly-emitter type, Bipolar CMOS DMOS device, manufacturing method of bipolar junction transistor of poly-emitter type and manufacturing method of Bipolar CMOS DMOS device [P] . 韩国专利： KR101126933B1 . 2012-03-20

机译：多发射极型双极结型晶体管，双极CMOS DMOS器件，多极型双极结型晶体管的制造方法和双极CMOS DMOS器件的制造方法
5. Poly-emitter type bipolar junction transistor, bipolar CMOS DMOS device, and manufacturing methods of poly-emitter type bipolar junction transistor and bipolar CMOS DMOS device [P] . 美国专利： US8173500B2 . 2012-05-08

机译：多发射极型双极结型晶体管，双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法