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异质结电荷注入晶体管

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摘要

通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．

著录项

来源
《半导体学报》 |1996年第3期|203-206|共4页
作者
李桂荣; 郑厚植; 李月霞; 郭纯英; 李承芳; 张鹏华; 杨小平;
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作者单位

半导体超晶格国家实验室;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.4;
关键词
异质结; 电荷注入; 晶体管;

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