退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘学锋; 刘金平; 李建平; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英;
中国科学院半导体研究所材料中心;
GSMBE; 硅; 硅化锗; 掺杂; 外延生长;
机译:PA-MBE在Si(1 1 1)衬底上生长的未掺杂和Si掺杂的Al_xGa_(1-x)N薄膜的结构,光学和电学性质
机译:生长温度对GSMBE在Si(111)上生长InAlN合金中铟掺入的影响
机译:缺陷的生长对Si / Si_(1-x)Ge_x / Si异质结构的光学和电学性质的影响
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:纯GeSi和Ge-Si合金过冷熔体中的晶体生长动力学
机译:在Si(111)和Mg2Si / Si(111)衬底上生长的Ca2Si膜的生长,光学和电学性质
机译:Czochralski生长的中子嬗变掺杂硅中氧的电学性质研究
机译:Cu-Si合金颗粒的制造方法,Cu-Si合金颗粒,Ni-Si合金颗粒的制造方法,Ni-Si合金颗粒,Ti-Si合金颗粒的制造方法,Ti-Si合金颗粒,制造Fe-Si的方法硅合金颗粒和铁硅合金颗粒
机译:基于Cu-Ni-Si的铜合金板,镀薄的Cu-Ni-Si-Si基铜合金板,以及Cu-Ni-Si基铜合金板的制备方法和薄膜镀铜Cu-Ni-Si基 铜合金板
机译:Si掺杂剂在具有较薄的BUFFER层的Si基体上生长的GaN纳米管的生长
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。