微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜

摘要

采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与 (1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成 Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性 .通过 X射线衍射图谱发现 ,当退火时间相同时 ,在 6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构 ,75 0℃时 (1 0 0 )取向的 Co Si2 生长显著 .此外 ,在微波作用下 ,无需先形成富 Co的 Co2 Si和 Co Si,就能直接得到稳态的 Co Si2 ,不同于常规的热处理 .分析认为这是因为微波可以促进固相反应中 Co原子的扩散 ,有利于 Co Si2