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饶瑞; 徐重阳; 曾祥斌; 王长安; 赵伯芳; 周雪梅;
华中科技大学电子科学与技术系;
微波退火; 低温晶化; 多晶硅薄膜; 电阻率;
机译:通道宽度对微波退火制备三栅极多晶硅薄膜晶体管高频特性的影响
机译:表面溶胶-凝胶法及反应退火法制备(HfO_2)_x(SiO_2)_(1-x)超薄膜的制备及电学特性
机译:通过低温晶圆加载和N / sub 2 /预退火工艺制备的织构多晶硅氧化物的电学特性
机译:溶胶 - 凝胶法制备一层二氧化钛薄膜退火温度效果的电学特性和表面形态学研究
机译:沉积在微波等离子体盘反应器中的多晶金刚石薄膜的电学性质和物理特性。
机译:溶液法制备双层ZnO / In2O3薄膜晶体管的电学特性研究
机译:用于射频和微波应用的分层介电和磁性复合材料及共混物结构的电学和结构特性研究
机译:顺序溶剂铸造,以改善多晶硅薄膜的结构有序性和电学特性
机译:激光退火制备多晶硅薄膜的方法和相同方法制备薄膜晶体管的方法
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