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顾启琳; 陈旭东; 凌志聪; 梅永丰; 傅劲裕; 萧季驹; 朱剑豪;
香港大学物理系;
香港 香港大学物理系;
香港 香港城市大学物理与材料科学系;
香港;
PIIID; ZnO/p-Si异质结; Anderson模型; 空间电荷限制模型; 电流输运;
机译:退火温度对n-ZnO / p-Si异质结光电二极管的结构,电学和UV感测特性的影响
机译:温度对纳米结构n-ZnO / p-Si异质结二极管电学特性的影响
机译:使用ZnO缓冲层的n-ZnO薄膜/ p-Si异质结二极管的电学和紫外检测特性
机译:n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的结构和电学特性
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:NH4OH处理可最佳地权衡水热Ga掺杂n-ZnO / p-Si异质结构特征
机译:喷雾热解技术制备的n-ZnO / p-Si异质结的电学表征
机译:Gaas-Ga(1-x)alxas异质结构中二维空穴气体的磁输运特性和子带结构
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
机译:SnO2-ZnO纳米纤维异质结构,其制造方法以及使用该异质结构的还原性气体感测方法
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