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大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷

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利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|133-136|共4页
作者
赵彦桥; 刘彩池; 郝秋艳; 孙卫忠;
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作者单位

河北工业大学信息功能材料研究所;

天津;

300130 河北工业大学信息功能材料研究所;

天津;

300130 河北工业大学信息功能材料研究所;

天津;

300130 河北工业大学信息功能材料研究所;

天津;

300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体 ;
关键词
SI-GaAs; 化学腐蚀法; 位错; 微缺陷;

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