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金高龙; 陈维德;
不详;
金属/半导体; 接触面; 反应特性;
机译:利用X射线光电子能谱研究InGaAs和GaAs与化学气相沉积高k栅极电介质集成的界面特性
机译:裸露半导体表面上的分子自组装:硫代烷烃-GaAs(001)界面的化学和电子性质研究
机译:在外部磁场中具有平滑界面的倒置GaAs / Al_xGa_(1-x)As量子点的电子和光学性质的理论研究
机译:与光电二极管结构原子扩散粘合的电子传输表征。Ingaas / Ge / Ingaas界面的电子传输特性。
机译:在电子回旋共振(ECR)等离子体反应器中对硅进行六氟化硫蚀刻时的表面反应特性。
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:界面间距,稳定性,带偏移和间距的研究 (001)srHfO3 / Gaas界面的电子特性:第一原理 计算
机译:Ti / Gaas和pd / Gaas界面的电子性质和化学
机译:基于电子医疗记录的回顾性队列研究来确定药物不良反应的方法,基于电子数据记录的回顾性队列研究来检测药物不良反应或干预的方法以及基于药物的回顾性队列研究检测药物或药物的不良反应的方法
机译:在Gaas和INXGA(1-X)P层之间锻造的INGAASP上蚀刻四方界面层的化学反应
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