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铝对硅外延层的吸杂现象

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＜正＞观察到,当用高纯铝丝（含铝99.99％）在外延基座表面划线作记号,再将外延片衬底放在该位置上,进行常规的SiCl4-H2还原法外延,然后将外延片用Sirtl腐蚀液显示,可看出:对应于基座上划线的位置,外延层中的小浅坑缺陷（亦被称为“雾点”、梨皮点”）

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来源
《半导体学报》 |1980年第2期|167-169|共3页
作者
孙安纳; 赵书鸾;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体研究所;

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