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a-Si:H薄膜中氢退火行为IR谱研究

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摘要

采用红外吸收(IR)谱法并借助于扫描电子显微镜(SEM)研究了掺氢非晶态硅(a-Si:H)薄膜(厚度0.5-4μm)中硅氢健(Si-H)的断裂和转化特性(SiH→SiH_2)以及氢逸出膜表面的机理。

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来源
《青岛科技大学学报:自然科学版》 |1991年第2期|52-58|共7页
作者
罗文秀; 谭忠恪; 任鹏程; 王小林;
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作者单位

青岛化工学院;

山东大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜测量与分析;
关键词
非晶硅膜; 硅氢键; 退火; 红外辐射;

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