共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法

摘要

针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管（RTD）模型有相似表现的现象，提出一种LED失效分析方法。经过500～3000V的HBM模型损伤，一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管（RTD），正向电流呈现隧道电流的特征，证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱，改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比，并推广至其他失效曲线的分析，建立了一套通过伏安特性曲线对比方法，分析LED受损位置。这种失效模型分析方式可以不借助微观实验，直接进行判断，并可通过经验不断丰富。