化学气相沉积法制备TiC涂层的相组成和表面形貌

摘要

用化学气相沉积法(CVD)在碳/碳复合材料表面沉积TiC涂层.研究了工艺参数对TiC涂层的相组成和表面形貌的影响以及CVD TiC涂层的沉积机理.实验结果表明,当进入沉积室的气体流量(mL·min-1)比为H2:TiCl4:CH4=300:25:10时,所得涂层中含较少的游离碳,TiC纯度较高.随CH4流量增加,游离碳含量增加.沉积温度对TiC的形貌有明显影响,较低温度下沉积的TiC粒子尺寸小,分布均匀,随温度升高,TiC的粒径增大,涂层质量降低.