Cu2Sn(S,Se)3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究

摘要

采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N2保护下硒化获得到Cu2Sn(S,Se)3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu2Sn(S,Se)3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10”cm-3,迁移率高达18.19 cm2·V-1·S-1,可用于薄膜太阳能电池的光吸收层.