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电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

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摘要

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.

著录项

来源
《西北师范大学学报：自然科学版》 |2005年第2期|34-36|共3页
作者
张开彪; 马书懿; 陈海霞; 马自军;
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作者单位

西北师范大学物理与电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
纳米硅; 异质结; C-V特性; 禁带宽度;

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