非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析

摘要

本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。