单一取向Cu2O纳米棒的一种工业制备技术

原宏宇; 苑梦尧; 刘静; 伊福廷; 吴忠华; 王焕华; 张杰

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单一取向Cu2O纳米棒的一种工业制备技术

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作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能.然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用.为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为Cu2O及类似材料的纳米棒薄膜的大规模工业化生产找到了一种低成本的制备技术.

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来源
《材料科学与工程学报》|2014年第3期|339-343|共5页
作者
原宏宇; 苑梦尧; 刘静; 伊福廷; 吴忠华; 王焕华; 张杰;
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作者单位

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

中国科学院高能物理研究所,北京100049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;劳厄法;真空镀膜;
关键词
Cu2O; 掠角沉积; 热蒸发; 后退火; 纳米棒;
入库时间 2023-07-25 17:06:11

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