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任绥民; 刘颖力;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054;
FeGaB薄膜; 磁控溅射; B靶溅射功率; 矫顽力;
机译:溅射功率对纳米粉体压靶溅射钙掺杂ZnO薄膜电学和光学性能的影响
机译:溅射功率和退火温度对粉末靶射频溅射制备铟锡氧化物薄膜性能的影响
机译:溅射功率对多靶磁控共溅射制备Zr-Nb-N纳米复合涂层结构和力学性能的影响
机译:FeGaB薄膜和FeCuZr球磨合金的EXAFS研究和微波磁性能。
机译:自由载流子密度对磁传输场效应调制研究(ZnCo)O薄膜磁性能的影响
机译:射频溅射功率和真空退火对偶氮靶法制备陶瓷靶制备的偶氮薄膜性能的影响
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)
机译:磁光性能中的稀释型磁半导体薄膜超薄膜及其制造方法
机译:用于形成磁光记录介质记录层的烧结溅射靶材,在高溅射功率下具有出色的抗裂性
机译:磁靶旋转运动中的磁场影响
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