机译:溅射功率对纳米粉体压靶溅射钙掺杂ZnO薄膜电学和光学性能的影响
Univ Gabes Fac Sci Gabes Lab Phys Mat & Nanomat Appliquee Environm LaPhyMN Gabes Tunisia;
INSA Toulouse Dept Genie Phys F-31077 Toulouse 4 France;
Univ Perpignan CNRS PROMES Lab Procedes Mat & Energie Solaire Rambla Thermod F-66100 Perpignan France;
Thin films; Ca-doped ZnO; Sol-gel growth; Sputtering; Optical properties;
机译:溅射功率对纳米粉体压靶溅射钙掺杂ZnO薄膜电学和光学性能的影响
机译:不同磁控溅射功率300℃沉积Ga_2O_3-ZnO薄膜的光电性能及其在p-i-nα-Si:H薄膜太阳能电池中的应用
机译:不同磁控溅射功率300°C沉积Ga2O3-ZnO薄膜的光学和电学性质及其在p-i-nα-Si:H薄膜太阳能电池中的应用
机译:Al_2O_3浓度在粉末压实靶对溅射的ZnO薄膜特性的影响
机译:通过大功率脉冲磁控溅射沉积的银膜的电学和光学性质。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:磁控溅射沉积al掺杂ZnO薄膜:溅射参数对电学和光学性能的影响