纳米晶化对Co-FeNbZr薄膜结构及阻抗的影响

摘要

用直流磁控溅射法制备非晶Co-FeNbZr软磁膜,再用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对其进行纳米晶化.研究了不同的纳米晶化工艺条件下薄膜的微观结构和阻抗性能.结果表明,500℃退火的Co-FeNbZr软磁薄膜晶粒细化到30～40nm,阻抗值从28Ω增加到110Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200～220 MHz左右,薄膜的软磁性能极大改善.