硅桥红外辐射单元温度的显微拉曼测定

摘要

本文采用显微拉曼光谱实验的方法对红外目标模拟器中的重掺杂Si电阻微桥单元进行了绝对温度的测量,并根据斯托克斯与反斯托克斯强度与温度关系以及Raman峰位移动与温度依赖关系两种方法确定温度,保证了所测温度的可靠性.针对Si桥建立相应的Raman模型,选择合适的物理参数,最终得到了反映Si桥工作特性的电流-温度关系.此外,通过对Si桥的空间分辨的测量实验,得到了Si桥上的温度分布状况,对了解其电阻、热导及氧化等特性十分有用.所有结果表明该方法是器件优化的有效途径.