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闫翠霞; 戴瑛; 刘东红;
山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;
济宁学院物理系,济宁,272100;
B离子注入; 退火; 体积膨胀;
机译:复合半导体中离子注入引起的起泡和薄层分裂的现象学
机译:钴离子注入引起的玻璃碳结构现象
机译:离子注入过程中由于表面充电电压引起的粉末颗粒散射现象
机译:掺氮和离子注入金刚石薄膜的成分和结构分析。
机译:银离子注入/退火后的超纳米晶金刚石薄膜增强电子发射的纳米尺度研究
机译:聚对苯撑薄膜的离子微分析研究及离子注入引起的现象
机译:储存期间铀腐蚀引起的K盆地污泥体积膨胀评价
机译:具有防止由于芯片体积膨胀和收缩而引起的偏转现象的半导体包装及其制造方法
机译:制造半导体器件以防止LDD离子注入和降低硅化物引起的通道现象的方法
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