多能谷Si—ni pi超晶格材料的电子性质

摘要

本文采用各向异性有效质量计算了多谷材料硅nipi超晶格的电子态和有效带隙。计算结果表明:在同样的掺杂浓度和超晶格周期下、超晶格的方向选取不同就会得到不同的能谱和禁带宽度。在对称性较高的三个方向(100)、(110)、(111)上,沿(100)方向上的有效带隙最窄,与用各向同性有效质量的计算结果相比较,发现规律是一致的。