A—SiNx:H/A—Si:H超晶格材料制备X射线衍射及光学性质的研究

摘要

本文报道了对A—SiNx:H/A—Si:H超晶格材料X射线和光学性质等方面的研究。提出一个非晶超格材料X射线衍射模型,和实验符合得较好,由此得到一个根据衍射峰相对强度获得界面情况的简单方法。观察到量子阱效应使光学带隙移动,发光峰移动,发光强度增大等现象。