热壁外延PbTe／Si异质结带偏移的研究

摘要

本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法．利用Ｃ－Ｖ测量技术，估计了晶格失配和其它集中电容对ｎ－ｐｂＴｅ／Ｐ－Ｓｉ异质结内建电势的影响．在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后，所得内建电势差修正值接近理想ＨＪ的计算值。基于此修正值，计算的带偏移△Ｅｖ和△Ｅｃ十分接近国外文献所报导的结果。