溅射法制备透明HfOx薄膜及其阻变特性研究

摘要

采用溅射法制备的非晶结构HfOx薄膜,其平均透射率超过80％,禁带宽度约为5.73 eV.以此制备的ITO/HfOx/Ti阻变存储器,表现出稳定且可重复的双极性电阻开关行为,同时,常温下具有卓越的数据保持特性及良好的耐擦写特性.研究发现,ITO/HfOx/Ti阻变存储器的低阻态电荷输运机制为欧姆传导机制,而高阻态下则以空间电荷限制电流机制(SCLC)为主导.