不同激光能量和Zr/Ti比对PLD法制备PZT薄膜结晶质量的影响

摘要

典型的压电材料Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3因其优异的性能,可用来制备各种类型的压电器件,一直受到许多研究者的关注.采用PLD法在SrTiO3(100)单晶衬底上制备出了不同组分的PZT薄膜,讨论了不同激光能量和Zr/Ti比对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜结晶质量的影响,得出最佳生长PZT薄膜的条件,并分析其(002)摇摆曲线,结果显示:Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3薄膜表面比较均匀,均方根粗糙度较小,体现出较好的结晶质量.最后根据谢乐公式可得出其所制备的薄膜晶粒尺寸在2～6 nm范围内,可以用于器件制作.