机译:通过MOD工艺制备的过量PbO掺杂Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52)O_3薄膜的结构和电学性能。
机译:Zr / Ti比和退火后温度对气溶胶沉积制备钛酸锆钛酸铅(PZT)厚膜电学性能的影响
机译:溶胶-凝胶反向浸涂法制备Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48)O_3铁电薄膜中PbO含量和TiO_2和ZrO_2晶种层对取向和微观结构的影响
机译:过量PBO掺杂PLT薄膜的组织和异常电性能
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:不同PbO含量的PZT薄膜的微观结构和性能-内置场形成的离子机理
机译:通过MOD工艺制备的过量PbO掺杂Pb(Zr 0.48Ti0.52)O3薄膜的结构和电学性质
机译:铁电90(度)域形成与化学制备的pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电性能的关系