高半胱氨酸SAM-SOD修饰电极的电化学行为

摘要

目的研究SOD在高半胱氨酸SAM膜电极上的电化学行为,为进一步实现酶的直接电化学提供依据,将有助于生物传感器的进一步开发与研究.方法在金基底电极上自组装上高半胱氨酸,在高半胱氨酸SAM膜电极上通过EDC接上SOD,利用循环伏安法研究该修饰电极的电化学行为.结果高半胱氨酸SAM-SOD修饰电极呈现出了良好的伏安响应.但在含有过氧化氢的溶液中SOD的阴极峰电流呈现明显下降趋势.结论高半胱氨酸对SOD的电子转移反应具有良好的促进作用.过氧化氢使SOD的电化学响应的可逆性变差.