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孙崇德;
暨南大学电子工程系;
双扩散外延结构; 二次击穿效应; 半导体器件;
机译:垂直和横向CaN功率场效应晶体管的二次击穿和稳健性
机译:通过中子放射线照相/断层扫描,电子探针微分析,微弹反冲检测分析和激光诱导击穿光谱微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测微探测中的二次水素在锆核燃料包层管中的二次水平研究
机译:使用级联二次非线性效应二次谐波铌酸锂铌酸锂装置的级联二次非线性效应 - 区域长度误差的影响
机译:热点和第二次击穿对单晶Si光伏的反向I-V特性效应
机译:分数量子霍尔效应中的准粒子隧穿和高偏置击穿。
机译:自动化的反向偏置二次击穿晶体管测试仪
机译:具有击穿击穿抗扰度和低导通电阻的AlGaN / GaN双通道横向场效应整流器
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响
机译:半导体元件具有例如沟槽晶体管。场效应晶体管,布置在区域中,其中一个区域中的晶体管的中间击穿电压不同于另一区域中的沟槽晶体管的中间击穿电压
机译:半导体器件沟渠金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘体在绝缘击穿时具有正常强度值,其中绝缘击穿时的正常值等于或大于强度值
机译:半导体元件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的中间区域被边界区域包围,该边界区域的直线部分的击穿电压比弯曲边缘部分的击穿电压小
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