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许大鹏;
无;
机译:p掺杂分布对应变多量子阱InGaAsP-InP激光器性能的影响
机译:1.3- / spl mu / m InGaAsP-InP激光器的温度性能,具有不同的p型掺杂
机译:Zn对金属有机化学气相沉积生长的1.3 / spl mu / m InGaAsP / InP激光器的电光特性的影响
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机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:通过生长掺杂法实现双发射和色可调的Mn掺杂InP / ZnS量子点
机译:AlGaAs-GaAs和InGaAsP-InP半导体激光器的高性能研究
机译:n - ) - p Inp太阳能电池性能参数的比较研究 - 封闭安瓿硫扩散到Cd和Zn掺杂的p型Inp衬底中
机译:具有低掺杂有源层和极低串联电阻的高功率InGaAsP / InP半导体激光器
机译:InP / ZnS-InP / ZnS-用其制造InP / ZnS核壳量子点和InP / ZnS核壳量子点的方法
机译:InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
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